Производитель Номер продукта:
TSM170N06CH C5G
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM170N06CH C5G-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251
Подробное описание:
N-Channel 60 V 38A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Инвентаризация:
29506 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12892570
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM170N06CH C5G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
46W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251 (IPAK)
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
TSM170
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
TSM170N06CHC5G
TSM170N06CH C5G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM3481CX6 RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 5.7A SOT26
TSM020N04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
PMN120ENEX
MOSFET N-CH 60V 3.1A 6TSOP
